Aachen, 17. April 2007 – AIXTRON AG gibt bekannt, dass eine neue Thomas Swan TS 3x2“ FT Anlage mit Close Coupled Showerhead- (CCS) Reaktor am Institut für Halbleitertechnik der Technischen Universität (TU) Braunschweig in Betrieb gegangen ist.

Mit dieser Anlage werden Materialien wie Galliumnitrid und Zinkoxid hergestellt, deren fundamentale Materialeigenschaften sowie deren Einsatz in opto-elektronischen Bauelementen an der TU Braunschweig erforscht werden. Diese Anlage ergänzt die bereits vorhandenen Anlagen zur Materialforschung, unter denen sich auch eine AIXTRON AIX 200 MOCVD-Anlage befindet.

Zinkoxid ist ein Halbleiter mit großer Bandlücke, bestehend aus Elementen der 2. und 6. Gruppe des Periodensystems. Dieses Material ist interessant für Anwendungen mit kurzer Wellenlänge und im ultravioletten (UV) Spektralbereich wie z.B. LEDs, Laser und Lichtdetektoren. Da Zinkoxid ein transparentes und leitendes Trägermaterial ist, kann man voraussichtlich hellere LEDs herstellen als auf Siliziumkarbid oder Saphir. Durch Magnesiumdotierung können Bauelemente im UV-Bereich erstellt werden, die z. B. in speziellen Detektoren Anwendung finden.

Professor Dr. Andreas Waag, Direktor des Instituts für Halbleitertechnik der TU Braunschweig erklärt: „Wir haben uns für die Thomas Swan CCS-Technik entschieden, da sie unseren Anforderungen in Hinsicht auf Homogenität der Materialien, Schichtdicke, Dotierung und Schichtstruktur vollkommen entspricht. Zudem haben wir eine langjährige Geschäftsverbindung mit AIXTRON und sind sehr zufrieden mit der Leistung der bestehenden AIXTRON-Anlagen. Nun benötigen wir für noch anspruchsvollere Optoelektronik und Nanostrukturen die neueste Generation der MOCVD-Prozesse. Die CCS-Technik zeigt eindeutige Vorteile gegenüber anderen vertikalen MOCVD-Reaktoren und wird den Grundstein für unsere Forschungsprojekte in den kommenden Jahren legen.“

* MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition = Metall-organische Gasphasenabscheidung

Der Begriff Close Coupled Showerhead^TM ist ein Warenzeichen.

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